HGT1S12N60A4DS - IGBT 600V 54A 167W D2PAK

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IGBT 600V 54A 167W D2PAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour HGT1S12N60A4DS

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : HGT1S12N60A4DS
Fabricant : ON Semiconductor
La description : IGBT 600V 54A 167W D2PAK
Séries : -
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type IGBT : -
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 54A
Courant - collecteur pulsé (Icm) : 96A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 12A
Puissance - Max : 167W
Énergie de commutation : 55µJ (on), 50µJ (off)
Type d'entrée : Standard
Charge de la porte : 78nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C : 17ns/96ns
Condition de test : 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) : 30ns
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur : TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : HGT1 , HGT1S12

Documents pour HGT1S12N60A4DS

Feuilles de données : HGT1S12N60A4DS.pdf

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