NVF2955PT1G - MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223

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MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223
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Spécifications pour NVF2955PT1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NVF2955PT1G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 185 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 14.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 492pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-223
Paquet / caisse : TO-261-4, TO-261AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : NVF , NVF29

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Feuilles de données : NVF2955PT1G.pdf

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