1N5402GHB0G - DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-1N5402GHB0G
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour 1N5402GHB0G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 1N5402GHB0G
Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation
La description : DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 3A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1V @ 3A
La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : -
Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 200V
Capacité @ Vr, F : 25pF @ 4V, 1MHz
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : DO-201AD, Axial
Package d'appareils du fournisseur : DO-201AD
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour 1N5402GHB0G
Feuilles de données : 1N5402GHB0G.pdf
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