IRLR6225PBF - MOSFET N-CH 20V 100A DPAK

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MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
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Spécifications pour IRLR6225PBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRLR6225PBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 21A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3770pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 63W (Tc)
Température de fonctionnement : -50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DPAK
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
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Feuilles de données : IRLR6225PBF.pdf

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