NVMFS6B25NLT1G - MOSFET N-CH 100V 8A 33A 5DFN
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Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V 8A 33A 5DFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NVMFS6B25NLT1G
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
NVMFS6B25NLT1G
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET N-CH 100V 8A 33A 5DFN
Séries :
Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
8A (Ta), 33A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
13.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
905pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
3.6W (Ta), 62W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / caisse :
8-PowerTDFN, 5 Leads
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour NVMFS6B25NLT1G
Feuilles de données :
NVMFS6B25NLT1G.pdf
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