CSD19535KTTT - MOSFET N-CH 100V 200A TO263

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MOSFET N-CH 100V 200A TO263
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Spécifications pour CSD19535KTTT

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : CSD19535KTTT
Fabricant : Texas Instruments
La description : MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Séries : NexFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 200A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 98nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7930pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 300W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DDPAK/TO-263-3
Paquet / caisse : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : CSD1 , CSD195

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Feuilles de données : CSD19535KTTT.pdf

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