IPW65R048CFDAFKSA1 - MOSFET N-CH 650V TO-247-3
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MOSFET N-CH 650V TO-247-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPW65R048CFDAFKSA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPW65R048CFDAFKSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 650V TO-247-3
Séries : Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 63.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 48 mOhm @ 29.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 2.9mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 270nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7440pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 500W (Tc)
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO247-3
Paquet / caisse : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IPW65R048CFDAFKSA1
Feuilles de données : IPW65R048CFDAFKSA1.pdf
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