APTGT75DH120T3G - MOD IGBT 1200V 110A SP3
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Fabricant
Brève description
MOD IGBT 1200V 110A SP3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour APTGT75DH120T3G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : APTGT75DH120T3G
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : MOD IGBT 1200V 110A SP3
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type IGBT : Trench Field Stop
Configuration : Asymmetrical Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 110A
Puissance - Max : 357W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 75A
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 250µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce : 5.34nF @ 25V
Contribution : Standard
Thermistance NTC : Yes
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : SP3
Package d'appareils du fournisseur : SP3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour APTGT75DH120T3G
Feuilles de données : APTGT75DH120T3G.pdf
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