DMN61D8LVT-13 - MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

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MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
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Spécifications pour DMN61D8LVT-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMN61D8LVT-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 630mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.74nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 12.9pF @ 12V
Puissance - Max : 820mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareils du fournisseur : TSOT-26
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMN6 , DMN61D

Documents pour DMN61D8LVT-13

Feuilles de données : DMN61D8LVT-13.pdf

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