MPG06MHE3_A/100 - DIODE GEN PURP 1KV 1A MPG06
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DIODE GEN PURP 1KV 1A MPG06
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour MPG06MHE3_A/100
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MPG06MHE3_A/100
Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division
La description : DIODE GEN PURP 1KV 1A MPG06
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1000V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.1V @ 1A
La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 600ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 1000V
Capacité @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : MPG06, Axial
Package d'appareils du fournisseur : MPG06
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour MPG06MHE3_A/100
Feuilles de données : MPG06MHE3_A/100.pdf
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