CRH01(TE85L,Q,M) - DIODE GEN PURP 200V 1A SFLAT
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Brève description
DIODE GEN PURP 200V 1A SFLAT
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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3257450 Pieces
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Spécifications pour CRH01(TE85L,Q,M)
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : CRH01(TE85L,Q,M)
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : DIODE GEN PURP 200V 1A SFLAT
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 980mV @ 1A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 35ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 200V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOD-123F
Package d'appareils du fournisseur : S-FLAT (1.6x3.5)
Température de fonctionnement - Jonction : -40°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour CRH01(TE85L,Q,M)
Feuilles de données : CRH01(TE85L,Q,M).pdf
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