TN0106N3-G-P013 - MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
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Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TN0106N3-G-P013
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
TN0106N3-G-P013
Fabricant :
Microchip Technology
La description :
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
350mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 500µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
60pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
1W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-92-3
Paquet / caisse :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour TN0106N3-G-P013
Feuilles de données :
TN0106N3-G-P013.pdf
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