FDC2612 - MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FDC2612
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
1265850 Pieces
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Spécifications pour FDC2612
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
FDC2612
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
Séries :
PowerTrench®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
1.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
725 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
234pF @ 100V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
1.6W (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
SuperSOT™-6
Paquet / caisse :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour FDC2612
Feuilles de données :
FDC2612.pdf
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