MT40A256M16GE-083E AAT:B - IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ
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IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour MT40A256M16GE-083E AAT:B
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MT40A256M16GE-083E AAT:B
Fabricant : Micron Technology Inc.
La description : IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - DDR4
Taille mémoire : 4Gb (256M x 16)
Fréquence d'horloge : 1.2GHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -
Temps d'accès : -
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.14V ~ 1.26V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 105°C (TC)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 96-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 96-FBGA (14x9)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : MT40A256 , MT40A256M16G
Documents pour MT40A256M16GE-083E AAT:B
Feuilles de données : MT40A256M16GE-083E AAT:B.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 4000PF 32KV R85. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 4000PF 16KV SCREW. | ||
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