2SK3906(Q) - MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-2SK3906(Q)
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
8016 Pieces
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Spécifications pour 2SK3906(Q)
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
2SK3906(Q)
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
20A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
330 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
4250pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
150W (Tc)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-3P(N)
Paquet / caisse :
TO-3P-3, SC-65-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour 2SK3906(Q)
Feuilles de données :
2SK3906(Q).pdf
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