IXFB80N50Q2 - MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IXFB80N50Q2
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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22183 Pieces
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Spécifications pour IXFB80N50Q2
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IXFB80N50Q2
Fabricant :
IXYS
La description :
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
Séries :
HiPerFET™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 8mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
250nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
15000pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
960W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
PLUS264™
Paquet / caisse :
TO-264-3, TO-264AA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IXFB80N50Q2
Feuilles de données :
IXFB80N50Q2.pdf
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