DF200R12W1H3FB11BOMA1 - MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
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Fabricant
Brève description
MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DF200R12W1H3FB11BOMA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DF200R12W1H3FB11BOMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Séries : EasyPACK™
Statut de la pièce : Active
Type IGBT : Trench Field Stop
Configuration : Three Phase Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 30A
Puissance - Max : 20mW
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 1.45V @ 15V, 30A
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 1mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce : 6.15nF @ 25V
Contribution : Standard
Thermistance NTC : Yes
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : Module
Package d'appareils du fournisseur : Module
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DF200R1 , DF200R12W1
Documents pour DF200R12W1H3FB11BOMA1
Feuilles de données : DF200R12W1H3FB11BOMA1.pdf
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