SE50PAJ-M3/I - DIODE GEN PURP 600V 1.6A DO221BC

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Brève description
DIODE GEN PURP 600V 1.6A DO221BC
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SE50PAJ-M3/I

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SE50PAJ-M3/I
Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division
La description : DIODE GEN PURP 600V 1.6A DO221BC
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1.6A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 940mV @ 2.5A
La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 2µs
Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 600V
Capacité @ Vr, F : 32pF @ 4V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : DO-221BC (SMPA)
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SE50 , SE50PA

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Feuilles de données : SE50PAJ-M3/I.pdf

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