SQJ500AEP-T1_GE3 - MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
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Brève description
MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SQJ500AEP-T1_GE3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SQJ500AEP-T1_GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
Séries : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : -
Drain à la tension source (Vdss) : 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 38.1nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1850pF @ 20V
Puissance - Max : 48W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : PowerPAK® SO-8 Dual
Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SO-8 Dual
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SQJ500AEP-T1_GE3
Feuilles de données : SQJ500AEP-T1_GE3.pdf
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