SI4932DY-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
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Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI4932DY-T1-GE3
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SI4932DY-T1-GE3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
48nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1750pF @ 15V
Puissance - Max :
3.2W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur :
8-SO
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SI4932DY-T1-GE3
Feuilles de données :
SI4932DY-T1-GE3.pdf
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CAP CER 5000PF 14KV SCREW. |
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CAP CER 5000PF 20KV SCREW. |
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