RD3T100CNTL1 - NCH 200V 10A POWER MOSFET

Référence fabricant

RD3T100CNTL1

Numéro de pièce interne

AX-RD3T100CNTL1

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

NCH 200V 10A POWER MOSFET

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

750565 Pieces

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Spécifications pour RD3T100CNTL1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RD3T100CNTL1

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : NCH 200V 10A POWER MOSFET

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 182 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.25V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 85W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-252

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RD3T , RD3T10

Documents pour RD3T100CNTL1

Feuilles de données : RD3T100CNTL1.pdf

Produits associés pour RD3T100CNTL1 Rohm Semiconductor

Numéro d'article	Marque	La description
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WF110250WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
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WI140376WP10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 20KV SCREW.
GRM1555C1E8R1CZ01D	Murata Electronics North America	CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402.
PEF220WP60238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK.
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PEF220WP60236BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK.
WI140266WJ10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.