MT49H32M9SJ-25:B TR - IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA
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IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour MT49H32M9SJ-25:B TR
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MT49H32M9SJ-25:B TR
Fabricant : Micron Technology Inc.
La description : IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : DRAM
Taille mémoire : 288Mb (32M x 9)
Fréquence d'horloge : 400MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -
Temps d'accès : 20ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.7V ~ 1.9V
Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 144-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 144-FBGA (18.5x11)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour MT49H32M9SJ-25:B TR
Feuilles de données : MT49H32M9SJ-25:B TR.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 4000PF 20KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 25PF 30KV. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 14KV SCREW. | ||
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