M474A4G43MB1-CTD - DDR4 ECC SODIMM 32 GB 2R x 8 2666 Mbps 1.2 V 260 (2G x 8) x 18 Sample
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Numéro de pièce interne
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Brève description
DDR4 ECC SODIMM 32 GB 2R x 8 2666 Mbps 1.2 V 260 (2G x 8) x 18 Sample
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour M474A4G43MB1-CTD
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
M474A4G43MB1-CTD
Fabricant :
Samsung Semiconductor
La description :
DDR4 ECC SODIMM 32 GB 2R x 8 2666 Mbps 1.2 V 260 (2G x 8) x 18 Sample
Séries :
DDR3
DDR :
DDR4
type de Dimm :
ECC SODIMM
Densité :
32 GB
Rang x Org. :
2R x 8
La vitesse :
2666 Mbps
Tension :
1.2 V
Nombre de broches :
260
Composition des composants :
(2G x 8) x 18
État du produit :
Sample
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour M474A4G43MB1-CTD
Feuilles de données :
M474A4G43MB1-CTD.pdf
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