BYC30B-600PJ - DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-BYC30B-600PJ
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BYC30B-600PJ
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BYC30B-600PJ
Fabricant : WeEn Semiconductors
La description : DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 30A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 2.75V @ 30A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 35ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 600V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur : D2PAK
Température de fonctionnement - Jonction : 175°C (Max)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour BYC30B-600PJ
Feuilles de données : BYC30B-600PJ.pdf
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