SSM6K211FE,LF - MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6

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MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
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Spécifications pour SSM6K211FE,LF

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SSM6K211FE,LF
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Séries : U-MOSIII
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 47 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10.8nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 510pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 500mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : ES6
Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SSM6 , SSM6K2

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Feuilles de données : SSM6K211FE,LF.pdf

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