ALD212900ASAL - MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
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Brève description
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour ALD212900ASAL
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
ALD212900ASAL
Fabricant :
Advanced Linear Devices Inc.
La description :
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
Séries :
EPAD®, Zero Threshold™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
10.6V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14 Ohm
Vgs (th) (Max) @ Id :
10mV @ 20µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
30pF @ 5V
Puissance - Max :
500mW
Température de fonctionnement :
0°C ~ 70°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur :
8-SOIC
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour ALD212900ASAL
Feuilles de données :
ALD212900ASAL.pdf
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