SI2301CDS-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
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MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI2301CDS-T1-GE3
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SI2301CDS-T1-GE3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
3.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
112 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
405pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
SOT-23-3 (TO-236)
Paquet / caisse :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SI2301CDS-T1-GE3
Feuilles de données :
SI2301CDS-T1-GE3.pdf
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