TPS1101DRG4 - MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-TPS1101DRG4
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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481965 Pieces
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Spécifications pour TPS1101DRG4
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
TPS1101DRG4
Fabricant :
Texas Instruments
La description :
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
15V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
2.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
11.25nC @ 10V
Vgs (Max) :
+2V, -15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
791mW (Ta)
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
8-SOIC
Paquet / caisse :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour TPS1101DRG4
Feuilles de données :
TPS1101DRG4.pdf
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