ZXMN6A09DN8TA - MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
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MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour ZXMN6A09DN8TA
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : ZXMN6A09DN8TA
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 24.2nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1407pF @ 40V
Puissance - Max : 1.25W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SO
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour ZXMN6A09DN8TA
Feuilles de données : ZXMN6A09DN8TA.pdf
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