BSM080D12P2C008 - SIC POWER MODULE-1200V-80A

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SIC POWER MODULE-1200V-80A
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BSM080D12P2C008

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSM080D12P2C008
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : SIC POWER MODULE-1200V-80A
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 13.2mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 10V
Puissance - Max : 600W
Température de fonctionnement : 175°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : Module
Package d'appareils du fournisseur : Module
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : BSM08 , BSM080D

Documents pour BSM080D12P2C008

Feuilles de données : BSM080D12P2C008.pdf

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