IPP25N06S325XK - MOSFET N-CH 55V 25A TO-220

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MOSFET N-CH 55V 25A TO-220
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Spécifications pour IPP25N06S325XK

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPP25N06S325XK
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 55V 25A TO-220
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25.1 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 20µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1862pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 48W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220-3-1
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IPP2 , IPP25N0

Documents pour IPP25N06S325XK

Feuilles de données : IPP25N06S325XK.pdf

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