IXDN409YI - IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO263-5
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IXDN409YI
Fabricant
Brève description
IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO263-5
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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Spécifications pour IXDN409YI
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXDN409YI
Fabricant : IXYS
La description : IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO263-5
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Configuration pilotée : Low-Side
Type de canal : Single
Nombre de conducteurs : 1
Type de porte : IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tension - Alimentation : 4.5V ~ 35V
Tension logique - VIL, VIH : 0.8V, 3.5V
Courant - sortie de crête (source, puits) : 9A, 9A
Type d'entrée : Non-Inverting
Haute tension latérale - Max (Bootstrap) : -
Temps de montée / descente (type) : 10ns, 10ns
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Package d'appareils du fournisseur : TO-263 (D²Pak)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IXDN409YI
Feuilles de données : IXDN409YI.pdf
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