IPW60R045CPAFKSA1 - MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
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Brève description
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPW60R045CPAFKSA1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IPW60R045CPAFKSA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
Séries :
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 3mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
190nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
6800pF @ 100V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
431W (Tc)
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
PG-TO247-3
Paquet / caisse :
TO-247-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IPW60R045CPAFKSA1
Feuilles de données :
IPW60R045CPAFKSA1.pdf
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