IRF6706S2TR1PBF - MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1

Référence fabricant

IRF6706S2TR1PBF

Numéro de pièce interne

AX-IRF6706S2TR1PBF

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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53076 Pieces

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Spécifications pour IRF6706S2TR1PBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRF6706S2TR1PBF

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 25V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 17A (Ta), 63A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1810pF @ 13V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.8W (Ta), 26W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : DIRECTFET S1

Paquet / caisse : DirectFET™ Isometric S1

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRF67 , IRF6706

Documents pour IRF6706S2TR1PBF

Feuilles de données : IRF6706S2TR1PBF.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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