NDDP010N25AZ-1H - MOSFET N-CH 250V 10A IPAK/TP

Référence fabricant

NDDP010N25AZ-1H

Numéro de pièce interne

AX-NDDP010N25AZ-1H

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 250V 10A IPAK/TP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

21272 Pieces

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Spécifications pour NDDP010N25AZ-1H

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NDDP010N25AZ-1H

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 250V 10A IPAK/TP

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 250V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 980pF @ 20V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1W (Ta), 52W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : IPAK/TP

Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NDDP0 , NDDP010

Documents pour NDDP010N25AZ-1H

Feuilles de données : NDDP010N25AZ-1H.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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12065C223KHT1A	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206.
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