CDBJSC8650-G - DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-CDBJSC8650-G
Fabricant
Brève description
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
258615 Pieces
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Spécifications pour CDBJSC8650-G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : CDBJSC8650-G
Fabricant : Comchip Technology
La description : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Silicon Carbide Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 650V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 8A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.7V @ 8A
La vitesse : No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 100µA @ 650V
Capacité @ Vr, F : 560pF @ 0V, 1MHz
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : TO-220-2
Package d'appareils du fournisseur : TO-220-2
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour CDBJSC8650-G
Feuilles de données : CDBJSC8650-G.pdf
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