CSD19531Q5AT - MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-CSD19531Q5AT
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
390575 Pieces
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Spécifications pour CSD19531Q5AT
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
CSD19531Q5AT
Fabricant :
Texas Instruments
La description :
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Séries :
NexFET™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
100A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.4 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
48nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
3870pF @ 50V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
8-VSONP (5x6)
Paquet / caisse :
8-PowerTDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour CSD19531Q5AT
Feuilles de données :
CSD19531Q5AT.pdf
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