TK58A06N1,S4X - MOSFET N-CH 60V 58A TO-220

Référence fabricant

TK58A06N1,S4X

Numéro de pièce interne

AX-TK58A06N1,S4X

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET N-CH 60V 58A TO-220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

348955 Pieces

Prix de référence

~~USD 0.804~~

Notre prix

- (Veuillez nous contacter pour un meilleur prix: [email protected])

AX Semiconductor a TK58A06N1,S4X en stock à vendre. Nous pouvons vous expédier dans les 1-2 jours. Veuillez nous contacter pour un meilleur prix pour TK58A06N1,S4X. Notre email: [email protected]

Options et délais de livraison:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Options de paiement:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Spécifications pour TK58A06N1,S4X

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TK58A06N1,S4X

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET N-CH 60V 58A TO-220

Séries : U-MOSVIII-H

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 58A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.4 mOhm @ 29A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 500µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 46nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3400pF @ 30V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 35W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220SIS

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TK58 , TK58A0

Documents pour TK58A06N1,S4X

Feuilles de données : TK58A06N1,S4X.pdf

Produits associés pour TK58A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	Marque	La description
BZ114096WZ10248BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 40KV.
WF125300BH10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 10KV SCREW.
WF135242BQ25238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2500PF 25KV SCREW.
PEF220BJ80238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8000PF 15KV R230 DISK.
CDR33BP302AJWSAB	Vishay Vitramon	CAP CER 3000PF 50V BP 1210.
WF165380WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WF165335WL10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 16KV SCREW.
GRM0225C1E5R6DDAEL	Murata Electronics North America	CAP CER 5.6PF 25V C0G/NP0 01005.
WI085444WN84236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8400PF 18KV.
WI140316WQ75236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WF095220WF50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 12KV SCREW.
WF135272WL60238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.
WF095220WF50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 12KV SCREW.
PEF220WH10336BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK.
WF165270WJ75238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 14KV SCREW.
WF125420WN76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 18KV SCREW.
WZ125178BH30236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 3000PF 10KV.
PEF220WH10338BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK.
VJ0603Q3R3CEAAO	Vishay Vitramon	CAP CER 3.3PF 50V C0G/NP0 0603.
WI085215WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 14KV SCREW.