RSS125N03FU6TB - MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC

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MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
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Spécifications pour RSS125N03FU6TB

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RSS125N03FU6TB
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 12.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.9 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 5V
Vgs (Max) : 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1670pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2W (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOP
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : RSS1 , RSS125N

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