NDD60N900U1-35G - MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3
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Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NDD60N900U1-35G
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
NDD60N900U1-35G
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
5.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
360pF @ 50V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
74W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
I-PAK
Paquet / caisse :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour NDD60N900U1-35G
Feuilles de données :
NDD60N900U1-35G.pdf
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