SQJB68EP-T1_GE3 - MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
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Fabricant
Brève description
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SQJB68EP-T1_GE3
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SQJB68EP-T1_GE3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Séries :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Standard
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
92 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
8nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
280pF @ 25V
Puissance - Max :
27W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
PowerPAK® SO-8 Dual
Package d'appareils du fournisseur :
PowerPAK® SO-8 Dual
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SQJB68EP-T1_GE3
Feuilles de données :
SQJB68EP-T1_GE3.pdf
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CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201. |
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CAP CER 2.2PF 200V C0G/NP0 RAD. |
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CAP CER 10PF 100V BP 0805. |
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CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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