A2T18H455W23NR6 - AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

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AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour A2T18H455W23NR6

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : A2T18H455W23NR6
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de transistor : LDMOS
La fréquence : 1.805GHz ~ 1.88GHz
Gain : 14.5dB
Tension - Test : 31.5V
Note actuelle : 10µA
Figure de bruit : -
Courant - Test : 1.08A
Puissance - sortie : 56dBm
Tension - nominale : 65V
Paquet / caisse : OM-1230-4L2S
Package d'appareils du fournisseur : OM-1230-4L2S
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : A2T18 , A2T18H4

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Feuilles de données : A2T18H455W23NR6.pdf

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