BUK9K29-100E,115 - MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
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Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
677010 Pieces
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Spécifications pour BUK9K29-100E,115
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
BUK9K29-100E,115
Fabricant :
Nexperia USA Inc.
La description :
MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Séries :
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
27 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
54nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
3491pF @ 25V
Puissance - Max :
68W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
SOT-1205, 8-LFPAK56
Package d'appareils du fournisseur :
LFPAK56D
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour BUK9K29-100E,115
Feuilles de données :
BUK9K29-100E,115.pdf
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