BSM50GD120DN2E3226BOSA1 - IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
5560 Pieces
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Spécifications pour BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Séries : -
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type IGBT : -
Configuration : Three Phase Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 50A
Puissance - Max : 350W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 3V @ 15V, 50A
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 1mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce : 3.3nF @ 25V
Contribution : Standard
Thermistance NTC : No
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : Module
Package d'appareils du fournisseur : Module
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : BSM50GD , BSM50GD120D
Documents pour BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Feuilles de données : BSM50GD120DN2E3226BOSA1.pdf
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