HAT2165H-EL-E - MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK

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Numéro de pièce interne
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MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour HAT2165H-EL-E

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : HAT2165H-EL-E
Fabricant : Renesas Electronics America
La description : MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
Séries : -
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 55A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5180pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 30W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : LFPAK
Paquet / caisse : SC-100, SOT-669
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : HAT2 , HAT216

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Feuilles de données : HAT2165H-EL-E.pdf

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