TPCF8B01(TE85L,F,M - MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

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MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
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Spécifications pour TPCF8B01(TE85L,F,M

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TPCF8B01(TE85L,F,M
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
Séries : U-MOSIII
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 200µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 470pF @ 10V
Caractéristique FET : Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max) : 330mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : VS-8 (2.9x1.5)
Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TPCF8B , TPCF8B01(

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