SIB912DK-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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2355105 Pieces
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Spécifications pour SIB912DK-T1-GE3
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SIB912DK-T1-GE3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
216 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
3nC @ 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
95pF @ 10V
Puissance - Max :
3.1W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Package d'appareils du fournisseur :
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SIB912DK-T1-GE3
Feuilles de données :
SIB912DK-T1-GE3.pdf
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CAP CER 5000PF 20KV SCREW. |
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CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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CAP CER 10000PF 10KV SCREW. |
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CAP CER 5000PF 16KV SCREW. |
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CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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