IRF3205LPBF - MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IRF3205LPBF
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
313825 Pieces
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Spécifications pour IRF3205LPBF
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IRF3205LPBF
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
Séries :
HEXFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
110A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 62A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
146nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
3247pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
200W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-262
Paquet / caisse :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IRF3205LPBF
Feuilles de données :
IRF3205LPBF.pdf
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