APT65GP60L2DQ2G - IGBT 600V 198A 833W TO264
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Fabricant
Brève description
IGBT 600V 198A 833W TO264
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour APT65GP60L2DQ2G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : APT65GP60L2DQ2G
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : IGBT 600V 198A 833W TO264
Séries : POWER MOS 7®
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type IGBT : PT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 198A
Courant - collecteur pulsé (Icm) : 250A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 65A
Puissance - Max : 833W
Énergie de commutation : 605µJ (on), 895µJ (off)
Type d'entrée : Standard
Charge de la porte : 210nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C : 30ns/90ns
Condition de test : 400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) : -
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : TO-264-3, TO-264AA
Package d'appareils du fournisseur : -
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour APT65GP60L2DQ2G
Feuilles de données : APT65GP60L2DQ2G.pdf
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