FQA65N20 - MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FQA65N20
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour FQA65N20
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FQA65N20
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P
Séries : QFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 65A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7900pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 310W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-3PN
Paquet / caisse : TO-3P-3, SC-65-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour FQA65N20
Feuilles de données : FQA65N20.pdf
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